据闪德资讯获悉，SK海力士封装建设副社长李康旭在东谈主工智能峰会上暗示，跟着HBM4E、HBM5等新一代居品迭代，客户对定制化系统级封装（SiP）的需求正合手续加多。

为此，公司刻薄“HBM B·T·S”主张，辩别对应带宽（Bandwidth）、散热（Thermal Dissipation）和空间恶果（Space Efficiency）三大标的，旨在生动烦扰客户定制需求。

在HBM堆叠技艺方面，kaiyun官方登录入口SK海力士已摆布自主建设的MR-MUF封装技艺杀青16层居品堆叠。针对20层及24层居品，公司假想在得其时机引入羼杂键合技艺，易游国际以应付JEDEC将HBM4堆叠高度规格放宽至775微米的新范例。

在NAND闪存领域，SK海力士正在建设名为“AIP（All-In-Plug）”的全新制造技艺。

当今业界在分娩300层NAND时，需要将其分为100层+100层+100层辩别蚀刻孔洞，再通过键合工艺荟萃。

SK海力士最新的321层NAND也给与了三次蚀刻的"三层堆叠"时势，诚然不错踏实制造，但在制酿老本和产能方面恶果不高。

SK海力士暗示，AIP技艺有望不才一代V11等居品中进入应用，显赫减少工序数目并晋升分娩恶果。

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